化學機械研磨在半導體運用已經行之有年，約五、六年前國內的半導體業者陸續引入這項技術，而事實上這項技術在十多年前
IBM 在半導體製造上獲得突破後，已逐漸成為半導體製造中的標準製程之一，尤其當製程線寬往
0.20um 以下縮小時，此平坦化技術更是重要！
Chemical Mechanical Polishing 基本上是由貼上研磨布的研磨平台，及承載具(Carrier)內部承載晶片，晶片表面被下壓與研磨布作相對運動摩擦，研磨當中將研磨劑或化學溶液加在研磨布上，促使晶片表面產生化學變化，表面薄膜在研磨中被去除，基於化學變化的選擇特性或晶面非平坦部分機械應力的不同，而達到回蝕化或平坦化的效果。
研磨技術，如同建築工在研磨石材地板一樣容易了解，不過這種看似簡單的製程，卻難以控制其精密度，主要是因為結合化學反應及機械研磨的製程，涵蓋許多不同領域的專業知識；在學術界的研究人專精於某項 CMP 學理，但缺乏實質的複雜技術考量，而往往讓人覺得無濟於事，而在業界已經使用
CMP 大量量產的工程師，卻拘限於出身所學或時效壓力，往往一些問題點無法作深入學理的解釋，錯失很多主導產業升級的機會，若台灣的學術界與工業界能密切結合，則我們有機會使台灣在這新興領域佔有重要位置，因此利用此網頁與所有精益求精的人分享，也誘發更多的工程人員加入此一領域。
Yu Tu-Hao 1/9/2002 update
Since 1/19/2000 update
申明：資料中提及之原物料、商品、商標 ..等，皆屬原公司所有。為避免涉及各公司機密，相關技術、物料組成、製程參數、規格等，此網頁將針對共通常識作介紹
Contents
化學機械研磨在半導體運用上的成因
(Introduction)
製程區分(Process)