[A]

Abrasive

研磨劑中的顆粒，也可稱為 Particle，材質有 SiO2, Fe(NO3)3,...

AFM

Atom Force Microscope, 原子力顯微鏡，可檢測薄膜表面粗糙度

[B]

Backing film

與Carrier film同，介於晶片背面與研磨頭之間的緩衝墊，防止晶片滑動或應力不均而碎裂

Blanket wafer

只晶面上沒有圖案，每一層面單一材質薄膜，但可能多層膜

Brush Scrubber

清洗晶片的刷子

Buffer solution

緩衝溶液

Buffing

拋光，次CMP的研磨動作，如同細磨，主要是減少刮傷、降低粗糙度

[C]

Carrier

載具、承載晶片，與Top Ring同，包含 Guide ring, Carrier film,...

Carrier film

與Backing film同，介於晶片背面與研磨頭之間的緩衝墊，防止晶片滑動或應力不均而碎裂

Chemical

化學藥劑，與晶片表面產生化學變化或去除離子

Chemical Machinism

化學反應機制

Cloth

研磨布，與 Pad同，與晶片直接接觸摩擦，提供機械研磨

CMOS

Complementary Metal-Oxide Semiconductor, 互補式金氧半導體

CMP

Chemical Mechanical Polishing, 化學機械研磨

Colloidal

膠體狀，Slurry可歸為膠體溶液的一種

Conditioner

Pad 表面調理裝置，與Dresser同，目的在使研磨布表面保持良好且穩定的粗造度

CVD

Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積

[D]

Damascene

淺溝，製作金屬線的方法之一；將介電層中挖出線的形狀，然後將金屬填入，然後利用CMP去除多出的部分

Defect

晶片上的缺陷

Die

晶粒

Dieletric

介電材料

Dishing

CMP研磨時，在線寬較寬處比較窄處容易凹陷的一種現象

Down Force

下壓晶片的壓力 [kgw]

DRAM

Dynamic Random Access Memory, 動態隨機記憶體

Dresser

Pad表面調理裝置，與Conditioner同，目的在使研磨布表面保持良好且穩定的粗造度

Dry in dry out

晶片乾的進機台，且也乾的出機台；因為研磨中晶片是濕的

Dual Damascene

雙淺溝

Dust

與 Particle意義相似，一般指晶片上的塵粒

[E]

Electrostatic Double Layer

電雙層，探討膠體溶液常用到的一種理論

End-Point Detection System

終點偵測系統

Erosion

同Thinning,當圖形中不同材質間隔緊密，且密度很高的時候，其中較難磨的部分也因應力關係而擋不住時，使整個區域同時下陷的現象

Etch Back

回蝕，CMP除具有平坦化效果外，也具備了回蝕的效果

[F]

Fab

晶圓廠

Field Oxide

場氧化層

Flow rate

流體流量，[ml/min]

Fluid Dynamics

流體力學

[G]

Global Planarization

全面性平坦化

Grain

結晶粒

Guard Ring

護環

[H]

Hardness

硬度

Head

研磨頭總承，包含壓力及真空裝置、包含 Top ring 或 Dresser等裝置

Hole

孔洞、穴

Hydrolosis

水解

Hydrophilic

親水性

Hydrophobic

疏水性

[I]

ILD

Inter Layer Dieletrics, 內層介電層

IMD

Inter Metal Dieletrics, 內金屬層介電層

Interlocks

連鎖裝置

[J]

[K]

KOH

氫氧化鉀

[L]

[M]

Mask

光罩

MOS

Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化半導體

[N]

Non-Uniformity

不均勻性，與均勻性(Uniformity)是一體兩面，[%]

[O]

Oxidation

氧化劑

Oxide

氧化層，通常指SiO2

Ozone

臭氧, O3

[P]

Pad

研磨布，與Cloth同，與晶片直接接觸摩擦

Particle

顆粒、塵粒

Pattern

晶片上的圖形

Plug

插塞，通常作於連接上下兩導線的金屬柱子

Polisher

研磨機

Polishing rate

研磨率，與Removel rate同，[A/min]

Polishing time

研磨時間，[sec]

Polysilicon

Poly-Si, 多晶矽

Pourbaix Diagram

離子溶液常用到的 E-pH 圖

Powder

粉末

Processing Capability

製程能力

PVD

Physical Vapor Deposition, 物理氣相沉積

[Q]

QC

Quality Control, 品質管制

[R]

Recipe

執行機台的程式，將包含的一些製程中重要的參數

Reliability

可靠性

Removel rate

移除率，與Polish rate同，[A/min]

Phosphine

PH3

Roughness

粗糙度

[S]

Scratch

刮傷，通常來自 big abrasive, pad surface, or film peeling,...

Seletivity

選擇性

Semiconductor

半導體

Shear Stress

剪應力

Slurry

研磨液，與Removel rate同與晶片表面產生化學變化，並運用其中的顆粒摩擦，達到研磨的機制；是 CMP的重要的耗材之一

Slurry Polish

研磨過程中有添加研磨液研磨的動作

Specification

規格

Speed

轉速，[rpm]

SRAM

Static Random Access Memory,靜態隨機記憶體

Stability state

穩定狀態

Step Motor

伺服馬達

STI

Shallow Trench Isolation, 淺層隔離層

Surface Energy

表面能

[T]

Tantalum

Ta, 鉭

TEB

B(OC2H5)3, Tri-Ethyl-Borate

TEOS

Si(OC2H5)4, Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate

TEOS-SiO2

TEOS 反應後所沉積的 SiO2 薄膜

Thermal Oxide

以熱氧化所生成的SiO2 薄膜

Thickness

厚度

Thin Film

薄膜

Thinning

同Erosion,當圖形中不同材質間隔緊密，且密度很高的時候，其中較難磨的部分也因應力關係而擋不住時，使整個區域同時下陷的現象

Throughput

產能

Titanium

Ti, 鈦

TMPO

PO(OCH3)3, Tri-Methyl-Phosphate

Top Ring

載具、承載晶片，與Carrier同，包含 Guide ring, Carrier film,...

Tungsten

W, 鎢

Turn Table

研磨平台

[U]

Uniformity

均勻性, [%], (Uniformity)=1-(Non-uniformity)

Unit Process

單元製程

[V]

Vacuum System

真空系統

Viscosity

粘度

VLSI

Very Large Scale Integration, 超大型積體電路

Voids

孔洞

[W]

Water Polish

研磨過程中只有添加淨水而無添加研磨液研磨的動作

Waste Slurry

研磨過後的廢液

[X]

[Y]

Yield

良率, [%]

Young’s Module

楊氏係數

[Z]

Zeta potential

電雙層電位