電気電子材料（旧課程電気材料�T）　大鉢教授

１９９２年度（大鉢教授）
（１）ｐ型シリコン半導体を作るとき必要な不純物は何か、また抵抗率を０．１Ωｃｍとするとき不純物はいくら必要か？移動度等の定数は与えられている
（２）ｐｎ接合ダイオードのＩＶ特性を表す式を書いてそれを説明せよ
（３）半導体、金属、化合物の抵抗率と温度との関係について論述せよ
（４）次の語句を簡潔に説明せよ
　　１）マランツの定理
　　２）ショットキー障壁
　　３）フェルミレベル
　　４）拡散電位
　　５）キャリアの出払い領域
　　６）ジョセフソン効果

１９９３年度（大鉢教授）
（１）熱平衡状態における半導体の電子と正孔濃度の積を計算せよ。ただし、半導体のエ　　　ネルギーギャップを、Ｅｇ、有効状態濃度Ｎｃ，Ｎｖ,有効質量をそれぞれｍｅ* ,　　　ｍｈ* 等のよく用いられる記号を用いること。　また具体的にＰ型で０．１オーム　　　センチメートルの抵抗率を得るにはいかに不純物を混入させればよいかを計算せよ　　　。さらにその少数キャリアの種類を示しその濃度を計算せよ。ただし電子の電荷、　　　電子および正孔の移動度、真性濃度をそれぞれ、１．６０＊１０（−１９）Ｃ、　　　　１４５０ｃ�u／ｖ／ｓ、５００ｃ�u／ｖ／ｓ、１．４５＊１０（−１８）／立方セ　　　ンチメートルとする。計算に際して有効数字を考慮すること。
（２）ｐｎ接合ダイオードに伝料が順方向に流されているときのエネルギーダイアグラム　　　と電流−電圧特性を示す式を示しかつその導出を説明せよ。
（３）低温で抵抗率が温度に対して如何に変化するかを半導体、金属、化合物について論　　　じよ。
（４）次の用語を簡単に説明せよ。
　　ａ．アクセプタ　　　　ｂ．フェルミレベルと電気化学ポテンシャル
　　ｃ．ゼーベック効果　　ｄ．ショットキー障壁
　　ｅ．拡散電位　　　　　ｆ．ジョゼフソン効果
　　ｇ．ホール効果　　　　ｈ．マチーセンの法則

１９９４年度