◎電子デバイス　（谷口）

　'８８年度　（'89.1.23）

　１）　α＝cosh （Ｗ／ＬＰ)と近似できる。交流のときτＰを正孔の寿命時間とすると近似的に　ＬＰ２=ＤＰτＰ/（１＋ｊωτＰ) とできる。このときのα遮断周波数を求めよ。
　２）　ＮＤ=１０２１[ｍ−３]、ｔｏｘ=１０００［Å］、χｄｍａｘ=２.５×１０−６[ｍ３]のとき、Φｆ,ＶＴおよびＶＧ=−６.０［Ｖ］のときの単位面積あたりの電荷密度を求めよ。
但し、ｅ＝１.６×１０−１９[ｃ］、εｏｘ=３.９、ε０=８.８５×１０２１､
ln１０＝２.３、ｋＴ／ｅ＝０.０２６［Ｖ］、ｎｉ=２.５×１０１９  とする。
　３）次の語句を説明せよ
	�@ＣＣＤ　　�A電子冷却　　�B不揮発性メモリ
	�Cドライエッチング　　�D冗長回路設計


　９０年度　（'91.1.28）

　１）　α＝cosh （Ｗ／ＬＰ)と近似できる。交流のときτＰを正孔の寿命時間とすると近似的に　ＬＰ２=ＤＰτＰ/（１＋ｊωτＰ) とできる。このときのα遮断周波数を求めよ。
　２）　ＮＤ=１０２０[ｍ−３]、ｔｏｘ=４０００［Å］、χｄｍａｘ=２.５×１０−６[ｍ３]のとき、Φｆ,ＶＴを求めよ。
但し、ｅ＝１.６×１０−１９[ｃ］、εｏｘ=３.９、ε０=８.８５×１０２１､
ln１０＝２.３、ｋＴ／ｅ＝０.０２６［Ｖ］、ｎｉ=１０１６とする。
また、Ｑ＝？？？の電荷がＳｉから１０００［Å］離れた位置に存在するとき
ＶＴがどれだけ変化するか
　３）次の語句を説明せよ
	�@ＣＣＤ　　�A電子冷却　　�B不揮発性メモリ
	�Cドライエッチング　　�D半導体レーザー
	�E太陽電池


◎電子デバイス　（谷口）

　'９１年度　（'92.1.18）

　１）トランジスタの問題
　　　　ＩｃとＩＥが与えられたときのαとＩｃｏを求めよ
　２）　ＮＤ=１０２０[ｍ−３]、ｔｏｘ=３０００［Å］、χｄｍａｘ=２.５×１０−６[ｍ３]のとき、Φｆ,ＶＴおよびＶＧ=−６.０［Ｖ］のときの単位面積あたりの電荷密度を求めよ。
但し、ｅ＝１.６×１０−１９[ｃ］、εｏｘ=３.９、ε０=８.８５×１０２１､
ln１０＝２.３、ｋＴ／ｅ＝０.０２６［Ｖ］、ｎｉ=１０１６  とする。
　３）次の語句を説明せよ
	�@ＣＣＤ　　�A電子冷却　　�B不揮発性メモリ
	�Cドライエッチング　　�D太陽電池　　�Eサイリスタ