Ganho s/ carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	13,6 dB
Impedância de entrada . . . . . . . . . . . . . . . .	100K ohms
Impedância de carga recomendada . . . . . . .	32 a 600 ohms
Potência de saída em classe "A". . . . . . . . . .	100mW RMS por canal em 32 ohms
Potência máxima de saída em 32 ohms . . . .	360mW RMS por canal
Potência máxima de saída em 100 ohms . . .	160mW RMS por canal
Potência máxima de saída em 600 ohms . . .	30mW RMS por canal
DHT, 20 Hz a 20 KHz 1mW, 32 ohms. . . .	< 0,01%
DHT, 20 Hz a 20 KHZ 100mW, 32 ohms .	< 0,03%
DHT, 20 Hz a 20 KHZ 360mW, 32 ohms .	< 0,07%
Resposta de Freqüência . . . . . . . . . . . . . . .	7 Hz a 500 kHz  -3 dB*
Realimentação Negativa . . . . . . . . . . . . . . .	24 dB
Corrente quiescente . . . . . . . . . . . . . . . . . .	100mA
Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	2 CIs, 26 transistores e 16 diodos.